专利名称:电容结构专利类型:发明专利发明人:吴仕先,李明林,赖信助,刘淑芬,陈孟晖,洪金贤申请号:CN200910173551.7申请日:20090915公开号:CN102024565A公开日:20110420专利内容由知识产权出版社提供摘要:本发明提供一种电容结构,其包括:第一电极层;第一介电层,设于该第一电极层上;以及第二电极层,设于第一介电层上,其中第一电极层与第二电极层至少其一具有凹凸结构,使第一电极层与第二电极层之间具有至少两种不同距离,形成至少两组电容值的并联效果。陈信维申请人:财团法人工业技术研究院地址:新竹县国籍:CN代理机构:北京市柳沈律师事务所代理人:邱军更多信息请下载全文后查看
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